1-3) تعریف بی نظمی و انواع آن. 5

1-4) نیمرساناهای بی شکل (آمورف) 11

1-4-1) مقدمه. 11

1-4-2) انواع نیمرساناهای بی شکل.. 11

1-4-3) شیشه ها 12

1-5) نظریه الکترونی سیستم های بی نظم. 15

1-5-1) مقدمه. 15

1-5-2) ساختار نواری انرژی.. 17

1-5-2-1) حالت های جایگزیده و جایگزیدگی آندرسون. 17

1-5-2-2) معرفی مدل های متداول ساختار نواری برای مواد بی شکل.. 22

1-5-2-2-1) مدل کوهن- فریتشه- اوشینسکی.. 23

1-5-2-2-2) مدل دیویس- مات… 24

1-6) مدل رسانشی پلارون کوچک در نیمرساناهای آمورف… 24

1-7) معرفی برخی روش های فیزیکی و شیمیایی تهیه مواد بی شکل.. 25

1-8) مروری بر برخی کاربردهای مواد آمورف در حوزه های مختلف علوم. 26

1-8-1) کاربردهای الکترونیکی.. 26

1-8-2) کاربردهای الکتروشیمیایی.. 28

1-8-3) کاربردهای نوری.. 28

فصل دوم : بررسی مصداقی مدل الکتروگرمایی در پدیده کلیدزنی

2-1 ) مقدمه. 33

2-2) پدیده های میدان قوی.. 34

2-3) سرعت رانشی حامل ها در میدان های الكتریكی قوی.. 35

2-4) اثرات حجمی میدان قوی.. 36

2-5) رسانش در میدان قوی و اثر میدان قوی در رسانش پلارونی شیشه ‏های حاوی یون های فلزات واسطه. 39

2-6) رسانش غیراهمی.. 41

2-7) اثر پول فرنكل.. 41

2-7-1) تزریق بار در اتصالات… 48

2-7-1-1) اتصال خنثی.. 48

2-7-1-2) اتصال اهمی.. 48

2-7-1-3) اتصال غیر اهمی.. 49

2-7-2 ) اثر شاتكی.. 49

2-8) تفاوت اثرات پول – فرنکل و ریچاردسون – شاتکی.. 51

این مطلب را هم بخوانید :

2-9) معرفی پدیده کلیدزنی.. 52

2-10) مقاومت دیفرانسیلی منفی.. 54

2-11) شكست‏ دی‏الكتریك ‏و فرآیند ‏تشكیل.. 55

2-12) رسانش- كلید زنی و پدیده های حافظه ‏ای (شبه پایدار) 55

2-13) كلیدزنی حافظه ‏ای و آستانه ای.. 58

2-14) مکانیسم کلیدزنی.. 60

2-14-1) نظریه الکتروگرمایی.. 62

2-13-2) نظریه ی گرمایی.. 64

2-14-3)  نظریه ی الكترونیكی.. 68

2-15) مکانیزم کلیدزنی در شیشه های چلکوجنی.. 71

2-16) مقایسه ی كلیدزنی در مواد بلوری و آمورف… 71

2-16-1) دلایل رخ دادن پدیده کلیدزنی در مواد آمورف… 72

فصل سوم : روش آزمایشگاهی، آنالیز نمونه ها و برنامه نویسی کامپیوتری

3-1) مقدمه. 74

3-2) فرآیند آزمایشگاهی.. 74

3-2-1) مقدمه. 74

3-2-2) مشخصات پودرهای اولیه و روش تهیه نمونه های مورد نظر. 75

3-3) مشخصه یابی نمونه ها 78

3-3-1) تحلیل طرح پراش پرتو X. 78

3-3-2) اندازه گیری چگالی نمونه ها 78

3-3-3) اندازه گیری های الکتریکی نمونه ها در میدان الکتریکی قوی.. 78

3-4) حل عددی و برنامه نویسی.. 81

فصل چهارم : بحث و نتیجه گیری

4-1) مقدمه. 83

4-2) بررسی الگوی پراش نمونه با استفاده از پرتو X و تصاویر SEM… 84

4-3)  بررسی پدیده کلیدزنی در نمونه های توده ای.. 88

4-3-1) بررسی منحنی های جریان- ولتاژ در فواصل الکترودی مختلف و همچنین بررسی منحنی های توان الکتریکی مؤثر بر حسب   88

4-3-2) بررسی منحنی های جریان- ولتاژ در دماهای مختلف و فاصله الکترودی ثابت و همچنین بررسی منحنی های توان الکتریکی(IV) بر حسب . 109

4-3-3) حل عددی و حصول نمودار های I-V با استفاده از برنامه نویسی کامپیوتری.. 127

4-4 ) نتایج کلی.. 133

منابع و مراجع

منابع و مراجع. 136

فهرست جداول

عنوان                                                                                                               صفحه

جدول 1-1) 30

جدول 3-1) 76

جدول 3-2) 76

جدول (4-1) 108

جدول (4-2) 126

فهرست اشکال

عنوان                                                                                                               صفحه

شکل 1-1) 4

شکل 1-2) 10

شکل 1-3) 14

شکل 1-4) 19

شکل 1-5) 20

شكل1-6) 21

شكل1-7) 21

شکل1- 8) 23

شكل2-1) 37

شکل2-2) 39